Ra mắt bộ nhớ flash 25nm đầu tiên trên thế giới

Dự kiến Intel và Micro sẽ giới thiệu công nghệ bộ nhớ flash đầu tiên trên thế giới dựa trên kiến trúc NAND 25nm vào ngày hôm nay (1/2).

Theo Intel và Micron, hiện tại mới chỉ có các bản mẫu của bộ nhớ flash 8GB 25nm được giới thiệu, còn thiết bị chính thức sẽ được sản xuất đại trà trước nửa cuối năm 2010. Khi được áp dụng, công nghệ 25nm sẽ giúp giảm đáng kể kích thước của thiết bị so với công nghệ NAND 34nm ra mắt năm 2008.

Quy trình mới có thể sản xuất bộ nhớ lưu trữ 8GB trên một thiết bị NAND đơn trong kích cỡ 167mm2. Kích cỡ này đủ nhỏ tương đương với lỗ ở giữa đĩa CD mà mọi người sử dụng hiện nay. Cũng giống như các bộ nhớ flash NAND trước đây, chúng có thể tương thích với bất cứ thiết bị nào yêu cầu bộ nhớ flash như camera số, máy nghe nhạc MP3, ổ SSD.

Bộ nhớ flash NAND có giá khoảng 2USD/GB trong năm ngoái và dường như vẫn tiếp tục mức giá đó trong suốt năm 2010. Tuy nhiên, quy trình 25nm sẽ giúp cho mức giá này giảm xuống và có lẽ là 1USD/GB.

Theo Intel, công nghệ flash mới sẽ cho dung lượng gấp đôi so với dung lượng quy trình 34nm cao nhất hiện nay nhưng sử dụng cùng kích thước chân như cũ. Quy trình 25nm hỗ trợ giao tiếp đồng bộ nguồn Open NAND Flash Interface (ONFI) 2.2 cho tốc độ truyền dữ liệu lên tới 200Mbit/giây.

Intel và Micron tuyên bố rằng, thiết bị mới sẽ cung cấp dung lượng cao nhất trong một ô đa mức 2bit/1cell và sẽ phù hợp với chuẩn công nghiệp hiện nay.

Tuy nhiên, cả hai hãng vẫn chưa tiết lộ chi tiết về kế hoạch đối với việc giảm quy trình này trong tương lai nhưng Shirley đề xuất rằng, các thiết bị sản xuất theo quy trình nhỏ hơn có thể sẽ sớm xuất hiện.

Theo Cnet/VnMedia