Trang chủ  >>  Siêu thị số  >>  Phụ kiện Thứ 5 - 11/03/2010

1.jpg

Chuẩn bị sản xuất bộ nhớ flash mật độ cao

Quy trình công nghệ 25nm sẽ cho phép cắt giảm gấp đôi số vi mạch của bộ nhớ flash cần có để chế tạo đĩa rắn SSD có cùng thể tích cho trước.

Intel và Micron Technology đã ủng hộ công nghệ đầu tiên về chế tạp bộ nhớ flash dạng NAND theo chuẩn thiết kế 25nm. Công nghệ mới cho phép tăng đôi dung lượng bộ nhớ của điện thoại thông minh - smartphone, thiết bị chơi audio và video và cả đĩa rắn (Solid State Drive, SSD) trong khi giữ nguyên kích thước của thiết bị. Intel đã đề xuất với các nhà sản xuất thiết bị điện tử các mẫu chip thí nghiệm dạng NAND dung lượng 8GB chế tạo bằng công nghệ in mạch mới nhất.

Công nghệ in mạch là quy trình hình thành các nút mạch và transitors trên đế silicon. Chúng càng có kích thước nhỏ bao nhiêu, càng có thể in nhiều transistors và nút mạch trên một vi mạch flash dạng NAND và càng gia tăng dung lượng lưu trữ. Công ty đang hoạch định sản xuất hàng loạt các chip tương tự của bộ nhớ flash trong quý 2/2010.

“Công trình của chúng tôi thúc đẩy sử dụng mạnh mẽ hơn các loại đĩa rắn”, ông Thomas Rampon, Tổng giám đốc điều hành Nhóm giải pháp kiến trúc NAND của Intel nói. Công nghệ mới NAND cho phép chế tạo các sản phẩm nhỏ hơn với mật độ cao cho đến nay vẫn được làm theo quy trình 34nm. Ví dụ, đĩa SSD 256GB có thể lắp ráp từ 32 vi mạch bộ nhớ flash 64Gbit (8GB); cho smartphone bộ nhớ 32GB cần 4 vi mạch còn cho 1 mô-đun bộ nhớ flash 16GB thì cần 2 vi mạch như thế. Những thành tựu như vậy trong sản xuất bộ nhớ flash sẽ giúp giảm đáng kể giá thành chung của thiết bị di động.

“Chip mới nhỏ đến nỗi lọt lòng lỗ tròn của đĩa CD nhưng lại cho phép lưu trữ gấp 10 lần dữ liệu so với chính CD đó (CD chuẩn lưu được 700MB). Intel tuyên bố rằng chuẩn thiết kế 25nm đạt được do quy trình in mạch do Intel đề xuất là chuẩn thiết kế nhỏ nhất không chỉ với các vi mạch bộ nhớ flash dạng NAND mà còn cho tất cả thiết bị bán dẫn. Tức là, Intel đã đề xuất bộ nhớ flash hoàn thiện nhất trên thị trường điện tử tiêu dùng phổ thông. Bộ nhớ flash mới sẽ được sản xuất bởi Công ty IM Flash Technologies, liên doanh giữa Intel và Micron.

Theo ComputerWorld/TGVT

  • In bài:
  • Chia sẻ lên LinkHay.com
  • Lên đầu trang:
Tags:
Các tin khác
Sách điện tử Samsung E60 - Thứ 2 - 08/03/2010
Sản phẩm “hot” nào sẽ lộ diện tại MWC?

ICTnews – Hội nghị di động thường niên...

Nokia 803 sở hữu camera có số 'chấm' cao nhất

Sản phẩm này vẫn tiếp tục bám trụ với hệ...

Nokia sẽ trình làng smartphone cao cấp tại MWC

Ngày 7/2, tạp chí Forbes cho biết, hãng...

Tablet Windows 8 đe dọa iPad bằng cách nào? 

ICTnews – Những lợi thế sẽ giúp tablet...

Maingear nâng cấp Titan 17, MTXT dành cho game thủ, giá 3499 USD

Mới đây, Maingear đã tung ra bản nâng cấp...

125 triệu tablet sẽ được xuất xưởng năm 2012

Giá thành của một chiếc máy tinh bảng...

Samsung tố LG quảng cáo TV 3D sai sự thật

LG buộc phải rút lại một số quảng cáo về...

TV 3D Plasma 2012 Panasonic đắt gấp rưỡi năm ngoái

Theo công bố tại Nhật, các model VT50...

Loa kèn Ring Audio chỉ cần ampli 10W

Đôi loa kèn có trọng lượng chỉ 20kg cùng...

Mở video Flash trên iPhone với trình duyệt Skyfire

ICTnews – Bài viết dưới đây sẽ tổng hợp...

Unfriend Finder - Xem ai đã hủy kết bạn trên Facebook

ICTnews – Nếu  tâm xem ai đã hủy kết nối...

Tự động bật/tắt card mạng khi có kết nối

ICTnews - NetSwitch là một đoạn lệnh nhỏ...

Cảnh báo rò rỉ khí gas từ xa qua điện thoại di động

ICTnews - Khi có hiện tượng rò rỉ khí gas,...

Sharp thu hồi hơn 16.000 máy chiếu

ICTnews - Hãng Sharp Corp của Nhật Bản nói...

10 sắc màu công nghệ

ICTnews - 10 sản phẩm, từ laptop, máy...